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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0254657 (1999-03-15) |
우선권정보 | JP0243811 (1996-09-13) |
국제출원번호 | PCT/JP97/03263 (1997-09-16) |
§371/§102 date | 19990315 (19990315) |
국제공개번호 | WO-9811612 (1998-03-19) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 29 인용 특허 : 3 |
A thermoelectric semiconductor material having sufficient strength and performance and high production yield. The thermoelectric semiconductor material is characterized in that a sintered powder material of a thermoelectric semiconductor having a rhombohedral structure (or hexagonal structure) is ho
[ What is claimed is:] [14.]14. A method of manufacturing a thermoelectric semiconductor material comprising:a heating step in which material powder is mixed so as to have a desired composition, and melted by heating;a solidification step, in which a solid solution ingot of thermoelectric semiconduc
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