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특허 상세정보
IGBT gate drive circuit with short circuit protection
| 국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
|---|---|
| 국제특허분류(IPC7판) | H03K-017/687 |
| 미국특허분류(USC) | 327/434 ; 327/432 ; 327/440 ; 361/089 ; 361/091.3 ; 361/091.8 ; 361/018 |
| 출원번호 | US-0030871 (1998-02-25) |
| 발명자 / 주소 | |
| 출원인 / 주소 | |
| 대리인 / 주소 |
|
| 인용정보 | 피인용 횟수 : 25 인용 특허 : 2 |
초록
An IGBT gate driver circuit includes means for detecting when the collector-to-emitter voltage (Vce) of a turned-on IGBT, intended to be operated in the saturation region, increases above a preset level, indicative of a fault condition, such as a short circuit. In response to such an increase in the Vce of a turned on IGBT, the IGBT is turned-off in two steps. First, the turn-on gate drive is decreased to a level that is still above the threshold (turn-on) voltage of the IGBT in order to decrease the current flowing through the IGBT and hence, the peak p...
대표
청구항
[ What is claimed is:] [1.]1. A combination comprising:an insulated-gate bipolar transistor (IGBT) having first and second electrodes defining the ends of the main conduction path of the IGBT, and having a control electrode for the application thereto of a control voltage for turning the IGBT on and off; said IGBT being characterized in that a voltage applied between the control and second electrodes must exceed a certain threshold voltage (VT) in order to turn-on the IGBT and in that it has a saturation voltage, V.sub.SAT, which is in the range of a few...
이 특허에 인용된 특허 (2)
이 특허를 인용한 특허 피인용횟수: 25
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- Jiang, Tao; Qiao, Li-Feng; Huang, Jian-Gang; Tao, Yang-Yang; Gan, Hong-Jian. Driving device and driving method. USP2018029906010.
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