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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0714879 (2000-11-16) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 13 인용 특허 : 7 |
A boost circuit for a ferroelectric memory operated in a low voltage supply environment is achieved by floating a local supply voltage and using a single boost via one or more appropriately sized ferroelectric boost capacitors to elevate the local supply level to the desired boosted voltage. When bo
[ I claim:] [1.]1. A voltage boosting circuit (10) comprising:an output node for providing a boosted voltage (VBOOST) greater than an external power supply voltage (VDD);a P-channel transistor (M2) having a gate and a current path for selectively connecting the output node to the external power supp
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