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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0391257 (1999-09-07) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 5 인용 특허 : 3 |
This invention discloses a novel method for fabricating solar cells. Using the existing screen-printing, masking or photolithography techniques, a P-type or N-type diffusion source is coated on the sites of an N-type or P-type silicon wafer desired for forming electrodes. Then, a low dose P-type or
[ What is claimed is:] [1.]1. A method for fabricating solar cells, comprising the steps of:(a) providing a P-substrate with a first surface and a second surface;(b) applying a treatment to the first surface of the P-substrate to form a rough surface;(c) selectively coating an N.sup.+ diffusion sour
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