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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0480979 (2000-01-10) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 49 인용 특허 : 103 |
A technique for forming a film of material (12) from a donor substrate (10). The technique has a step of forming a stressed region in a selected manner at a selected depth (20) underneath the surface. An energy source such as pressurized fluid is directed to a selected region of the donor substrate
[ What is claimed is:] [1.]1. A process for forming a film of material from substrates, the process comprising:forming a cleave region at a selected depth underneath a surface of a substrate, said cleave region at said selected depth to define a substrate material to be removed above said selected d
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