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Lead and arsenic free borosilicate glass and lamp containing same 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • C03C-003/095
  • H01J-061/30
출원번호 US-0470535 (1999-12-22)
발명자 / 주소
  • Marlor Richard C.
출원인 / 주소
  • Osram Sylvania Inc.
대리인 / 주소
    Clark
인용정보 피인용 횟수 : 33  인용 특허 : 9

초록

A lead and arsenic free borosilicate glass is provided which is suitable for use in electric arc discharge lamps. The glass is tungsten-sealing and provides desirable protection from ultraviolet radiation. In addition, the glass is suitable for use in glass melters not equipped with bubblers.

대표청구항 ▼

[ I claim:] [1.]1. A lead and arsenic free borosilicate glass having a composition containing 13.5 to 16.8 weight percent B.sub.2 O.sub.3, 2.0 to 4.0 weight percent Al.sub.2 O.sub.3, 2.0 to 5.0 weight percent Na.sub.2 O, 1.3 to 4.0 weight percent K.sub.2 O, from 0 to 0.30 weight percent Li.sub.2 O,

이 특허에 인용된 특허 (9)

  1. Brix Peter (Mainz DEX), Borosilicate glass for electronic flash lamps.
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  2. Watzke Eckhart (Jena DEX) Kampfer Andrea (Jena DEX) Kloss Thomas (Jena DEX) Kemmler Gerhard (Jena DEX), Borosilicate glass weak in boric acid.
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  3. Kiefer Werner (Mainz-Mombach DT), Fireproof glass windowpanes.
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  4. Bako Zoltan Laszlo,HUX ; Suha Zoltan Kamill,HUX ; Varga Zsuzsanna Klara,HUX, Glass composition.
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  5. Poole Sucharitra D.,GBX, Glass composition.
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  6. Marlor Richard C. (Beverly MA) Biddulph R. Bruce (Exeter NH), High intensity discharge lamp with ultra violet absorbing envelope.
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  7. Marlor Richard C., Lead and arsenic free borosilicate glass and lamp containing same.
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  8. Kiss Akos (Aschaffenburg DEX) Kleinschmit Peter (Hanau DEX) Volker Werner (Bad Vilbel DEX) Halbritter Gnter (Schollkrippen DEX), Luminescing glasses.
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  9. Fine Gerald J. (Corning NY), Ultraviolet transmitting glasses for EPROM windows.
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이 특허를 인용한 특허 (33)

  1. Law,Kam; Shang,Quanyuan; Harshbarger,William Reid; Maydan,Dan, Deposition of silicon layers for active matrix liquid crystal display (AMLCD) applications.
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  2. Zojaji, Ali; Samoilov, Arkadii V., Etchant treatment processes for substrate surfaces and chamber surfaces.
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  3. Zojaji, Ali; Samoilov, Arkadii V., Etchant treatment processes for substrate surfaces and chamber surfaces.
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  4. Sakakibara, Yuichi, Fluorescent lamp and a method of making same, and a lighting fixture.
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  5. Ishikawa, David; Metzner, Craig R.; Zojaji, Ali; Kim, Yihwan; Samoilov, Arkadii V., Gas manifolds for use during epitaxial film formation.
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  6. Ma, Yi; Ahmed, Khaled Z.; Cunningham, Kevin L.; McIntosh, Robert C.; Mayur, Abhilash J.; Liang, Haifan; Yam, Mark; Leung, Toi Yue Becky; Olsen, Christopher; Wang, Shulin; Foad, Majeed; Miner, Gary Eugene, Gate electrode dopant activation method for semiconductor manufacturing.
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  7. Ma,Yi; Ahmed,Khaled Z.; Cunningham,Kevin L.; McIntosh,Robert C.; Mayur,Abhilash J.; Liang,Haifan; Yam,Mark; Leung,Toi Yue Becky; Olsen,Christopher; Wang,Shulin; Foad,Majeed; Miner,Gary Eugene, Gate electrode dopant activation method for semiconductor manufacturing including a laser anneal.
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  8. Fechner, Joerg; Ott, Franz, Hydrolysis-resistant glass, a method of making said glass and uses of same.
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  9. Marlor, Richard C., Lead- and arsenic-free borosilicate glass having improved melting characteristic.
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  10. Hong, Sukwon; Tran, Toan; Mallick, Abhijit; Liang, Jingmei; Ingle, Nitin K., Low shrinkage dielectric films.
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  11. Samoilov, Arkadii, Low temperature etchant for treatment of silicon-containing surfaces.
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  12. Samoilov,Arkadii V., Low temperature etchant for treatment of silicon-containing surfaces.
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  13. Huang, Yi-Chiau; Ishii, Masato; Sanchez, Errol, Methods for forming silicon germanium layers.
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  14. Kim, Yihwan; Lam, Andrew M., Methods of controlling morphology during epitaxial layer formation.
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  15. Kim, Yihwan; Ye, Zhiyuan; Zojaji, Ali, Methods of forming carbon-containing silicon epitaxial layers.
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  16. Kim, Yihwan; Samoilov, Arkadii V., Methods of selective deposition of heavily doped epitaxial SiGe.
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  17. Kim,Yihwan; Samoilov,Arkadii V., Methods of selective deposition of heavily doped epitaxial SiGe.
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  18. Samoilov,Arkadii V.; Kim,Yihwan; Sanchez,Errol; Dalida,Nicholas C., Methods to fabricate MOSFET devices using a selective deposition process.
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  19. Samoilov,Arkadii V.; Kim,Yihwan; Sanchez,Errol; Dalida,Nicholas C., Methods to fabricate MOSFET devices using selective deposition process.
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  20. Ronald L. Stewart, Neodymium glass for tungsten-halogen lamp envelopes and filters.
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  21. Hurst, William E., Process of photomorphogenically enhancing plants.
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  22. Carlson, David K.; Kuppurao, Satheesh; Sanchez, Errol Antonio C.; Beckford, Howard; Kim, Yihwan, Selective deposition.
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  23. Kim, Yihwan; Samoilov, Arkadii V., Selective epitaxy process with alternating gas supply.
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  24. Kim, Yihwan; Samoilov, Arkadii V., Selective epitaxy process with alternating gas supply.
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  25. Kim,Yihwan; Samoilov,Arkadii V., Selective epitaxy process with alternating gas supply.
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  26. Comita, Paul B.; Scudder, Lance A.; Carlson, David K., Silicon-containing layer deposition with silicon compounds.
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  27. Singh, Kaushal K.; Comita, Paul B.; Scudder, Lance A.; Carlson, David K., Silicon-containing layer deposition with silicon compounds.
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  28. Singh, Kaushal K.; Comita, Paul B.; Scudder, Lance A.; Carlson, David K., Silicon-containing layer deposition with silicon compounds.
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  29. Naumann,Karin; Ritter,Simone; Ott,Franz; Stappen,Herbert, Solarization stable borosilicate glass and uses thereof.
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  30. Fechner,Joerg; Reisse,Andreas; Ott,Franz; Hueber,Brigitte, UV-radiation absorbing glass with reduced absorption of visible light and methods of making and using same.
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  31. Ye, Zhiyuan; Kim, Yihwan; Li, Xiaowei; Zojaji, Ali; Dalida, Nicholas C.; Tang, Jinsong; Chen, Xiao; Samoilov, Arkadii V., Use of CL2 and/or HCL during silicon epitaxial film formation.
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  32. Ye, Zhiyuan; Kim, Yihwan; Li, Xiaowei; Zojaji, Ali; Dalida, Nicholas C.; Tang, Jinsong; Chen, Xiao; Samoilov, Arkadii V., Use of Cl2 and/or HCl during silicon epitaxial film formation.
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  33. Ye, Zhiyuan; Kim, Yihwan; Li, Xiaowei; Zojaji, Ali; Dalida, Nicholas C.; Tang, Jinsong; Chen, Xiao; Samoilov, Arkadii V., Use of Cl2 and/or HCl during silicon epitaxial film formation.
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