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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0489947 (2000-01-24) |
우선권정보 | SE0000210 (1999-01-25) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 6 인용 특허 : 8 |
To eliminate the temperature dependency of the quiescent current of a power transistor (1), the gate bias voltage of the power transistor (1) is controlled by means of the output voltage of a biasing transistor (3) residing on the same silicon chip as the power transistor (1), and by interconnecting
[ What is claimed is:] [6.]6. An arrangement comprising:RF power LDMOS transistor;a biasing LDMOS transistor having its gate and drain interconnected at an interconnection point, the biasing LDMOS transistor connected to a gate of the RF power LDMOS transistor via an RF isolating means, and a source
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