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특허 상세정보

Temperature sensing circuit for voltage drive type semiconductor device and temperature sensing method therefore, and drive-device and voltage drive type semiconductor device using the same

국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) H01L-035/00    H01L-037/00    H03K-003/42    H03K-017/78   
미국특허분류(USC) 327/513 ; 327/432 ; 327/403 ; 327/405 ; 327/478
출원번호 US-0416650 (1999-10-12)
우선권정보 JP0289060 (1998-10-12)
발명자 / 주소
출원인 / 주소
대리인 / 주소
    Antonelli, Terry, Stout & Kraus, LLP
인용정보 피인용 횟수 : 8  인용 특허 : 9
초록

In order to provide a highly accurate and reliable temperature sensing circuit and method, a resistor (10a) having a positive temperature coefficient is connected between the gate terminal (4) and the insulated gate electrode (8a) of the voltage drive type semiconductor device (1a), and the temperature is sensed based on a voltage representing a voltage drop across the resistor in a circuit portion between the gate terminal (4) and the other terminal (5).

대표
청구항

[ What is claimed is:] [1.]1. A temperature sensing circuit for a semiconductor module comprising a semiconductor element for controlling current flowing between a pair of main electrodes of the semiconductor element in response to a voltage applied to an insulated gate electrode of the semiconductor element; a gate terminal of the semiconductor module electrically connected to said insulated gate electrode; and an auxiliary terminal of the semiconductor module electrically connected to one of said pair of main electrodes, wherein said temperature sensin...