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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0416650 (1999-10-12) |
우선권정보 | JP0289060 (1998-10-12) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 8 인용 특허 : 9 |
In order to provide a highly accurate and reliable temperature sensing circuit and method, a resistor (10a) having a positive temperature coefficient is connected between the gate terminal (4) and the insulated gate electrode (8a) of the voltage drive type semiconductor device (1a), and the temperat
[ What is claimed is:] [1.]1. A temperature sensing circuit for a semiconductor module comprising a semiconductor element for controlling current flowing between a pair of main electrodes of the semiconductor element in response to a voltage applied to an insulated gate electrode of the semiconducto
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