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Method for manufacturing diffusion barrier layer 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-021/476.3
출원번호 US-0661425 (2000-09-13)
발명자 / 주소
  • Tseng Horng-Huei,TWX
출원인 / 주소
  • Vanguard International Semiconductor Corp., TWX
대리인 / 주소
    Huang
인용정보 피인용 횟수 : 13  인용 특허 : 9

초록

A method for manufacturing a diffusion barrier layer over a substrate having a patterned copper layer. A refractory metal layer or a nitride layer of refractor metal is formed on the substrate and a top surface and a sidewall of the patterned copper layer. The refractory metal layer or the nitride l

대표청구항

[ What is claimed is:] [1.]1. A method for manufacturing a diffusion barrier layer over a substrate having a patterned copper layer, the method comprising the steps of:forming a refractory metal layer on the substrate and a top surface and a sidewall of the patterned copper layer;performing a high d

이 특허에 인용된 특허 (9)

  1. Chen Robert C. ; Greenlaw David C. ; Iacoponi John A., Borderless vias with CVD barrier layer.
  2. Jang Syun-Ming,TWX ; Liu Lu-Min,TWX, Method for reducing the pattern sensitivity of ozone assisted chemical vapor deposited (CVD) silicon oxide insulator layers.
  3. Homma Tetsuya (Tokyo JPX), Method of fabricating a semiconductor device having a multilayer wiring structure and using a fluorine compound-containi.
  4. Nakasaki Yasushi (Yokohama JPX), Method of manufacturing a semiconductor device with a copper wiring layer.
  5. Gupta Subhash,SGX ; Ho Kwok Keung Paul,SGX ; Zhou Mei-Sheng,SGX ; Chool Simon,SGX, Method to avoid copper contamination on the sidewall of a via or a dual damascene structure.
  6. Misawa Nobuhiro (Kawasaki JPX), Process for fabricating integrated circuit devices.
  7. Choudhury Ratan K. (Milpitas CA), Reliable metallization with barrier for semiconductors.
  8. Liao Kuan-Yang,TWX, Self-aligned metal nitride for copper passivation.
  9. Kawanoue Takashi,JPX ; Wada Junichi,JPX ; Matsuda Tetsuo,JPX ; Kaneko Hisashi,JPX, Semiconductor device and method of manufacturing the same.

이 특허를 인용한 특허 (13)

  1. Quantrille, Thomas E.; Rogers, William M., Composite materials and devices comprising single crystal silicon carbide heated by electromagnetic radiation.
  2. Quantrille, Thomas E.; Rogers, William M., Composite materials and devices comprising single crystal silicon carbide heated by electromagnetic radiation.
  3. Schneegans, Manfred; Torwesten, Holger, Electronic device.
  4. Schneegans, Manfred; Torwesten, Holger, Electronic device.
  5. Adem, Ercan; Sanchez, John E.; Erb, Darrell M.; Pangrle, Suzette K., Method of forming a selective barrier layer using a sacrificial layer.
  6. Lopatin, Sergey D.; Besser, Paul R.; Buynoski, Matthew S.; Wang, Pin-Chin Connie, Method of forming an adhesion layer with an element reactive with a barrier layer.
  7. Besser, Paul R.; Buynoski, Matthew S.; Lopatin, Sergey D., Method of implanting copper barrier material to improve electrical performance.
  8. Besser, Paul R.; Buynoski, Matthew S.; Lopatin, Sergey D.; Myers, Alline F.; Wang, Phin-Chin Connie, Method of inserting alloy elements to reduce copper diffusion and bulk diffusion.
  9. Lopatin,Sergey D.; Besser,Paul R.; Myers,Alline F.; Romero,Jeremias D.; Tran,Minh Q.; You,Lu; Wang,Pin Chin Connie, Method of using an adhesion precursor layer for chemical vapor deposition (CVD) copper deposition.
  10. Lopatin, Sergey D.; Besser, Paul R.; Wang, Pin-Chin Connie, Method of using ternary copper alloy to obtain a low resistance and large grain size interconnect.
  11. Chou, You-Hua; Hong, Min Hao; Tsai, Jian-Shin; Liao, Miao-Cheng; Hsiang Ko, Hsiang, Reverse damascene process.
  12. Chou, You-Hua; Hong, Min Hao; Tsai, Jian-Shin; Liao, Miao-Cheng; Hsiang Ko, Hsiang, Reverse damascene process.
  13. Chou, You-Hua; Hong, Min Hao; Tsai, Jian-Shin; Liao, Miao-Cheng; Hsiang Ko, Hsiang, Reverse damascene process.
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