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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0379996 (1999-08-24) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 32 인용 특허 : 101 |
A technique for forming a film of material (12) from a donor substrate (10). The technique has a step of introducing energetic particles (22) through a surface of a donor substrate (10) to a selected depth (20) underneath the surface, where the particles have a relatively high concentration to defin
[ What is claimed is:] [1.]1. A device comprising a thin film of silicon, the thin film of silicon having a cleaved surface with a cleaved surface roughness less than about 60 nm, the cleaved surface being separated from a substrate by a propagating cleave front.
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