[특허]Direct vapor delivery of enabling chemical for enhanced HF etch process performance

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Direct vapor delivery of enabling chemical for enhanced HF etch process performance 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H01L-021/302 C23F-001/02
출원번호	US-0535761 (2000-03-28)
발명자 / 주소	Fayfield Robert T. Heitzinger John M.
출원인 / 주소	FSI International, Inc.
대리인 / 주소	Vidas, Arrett & Steinkraus
인용정보	피인용 횟수 : 34 인용 특허 : 18

초록 ▼

Apparatus and method for direct delivery of enabling chemical gas from a liquid source and of HF gas in a hydrogen fluoride/enabling chemical based cleaning or etching process, such as a silicon dioxide film etching process. The liquid enabling chemical is temperature controlled to generate a vapor pressure which is sufficient to operate a mass flow controller at a desired processing pressure without a carrier gas. Prior to entering the process chamber, the enabling chemical gas is pre-mixed with HF and optionally, a carrier gas, all of which are supplied at flow rates independent of each other. By controlling the vapor pressure of the solvent in this way, solvent/HF/carrier mixtures which are not physically possible with carrier gas systems are attainable allowing access to a larger process space.

대표청구항 ▼

[ What is claimed is:] [1.]1. An apparatus for gas phase etching or cleaning a substrate using an HF/enabling chemical treatment process, the apparatus comprising:a) a processing chamber isolatable from the atmosphere for receiving and treating the substrate;b) a gas supply system for providing an etching gas mixture in the processing chamber, the gas supply system including:i) a source of an inert carrier gas operable to optionally provide carrier gas to the processing chamber at a flow rate determined by the user;ii) a source of anhydrous HF gas operable to optionally provide HF gas to the processing chamber at a flow rate independent of the carrier gas flow rate; andiii) a cooled source of enabling chemical gas of an enabling chemical compound which is liquid at ambient temperature and pressure, the cooled source of enabling chemical gas comprising a tank containing a volume of said enabling chemical compound in liquid form, the cooled source of enabling chemical gas in fluid communication with the process chamber and operable to optionally provide enabling chemical gas at a flow rate independent of both the carrier gas and the HF gas flow rates;c) a fluid pathway extending from the cooled source of enabling chemical gas to the processing chamber;the volume of said enabling chemical compound in liquid form cooled to a temperature below the temperature of said fluid pathway and said processing chamber.

이 특허에 인용된 특허 (18)

Ban Cozy (Itami JPX) Ohmori Toshiaki (Itami JPX) Fukumoto Takaaki (Itami JPX), Apparatus for treating the surface of a semiconductor substrate.
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Bohling David A. (Emmaus PA) Ivankovits John C. (Allentown PA) Roberts David A. (Carlsbad CA), Cleaning agents for fabricating integrated circuits and a process for using the same.
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Grant Robert W. (Allenstown PA) Ruzyllo Jerzy (State College PA) Torek Kevin (State College PA), Controlled etching of oxides via gas phase reactions.
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Fayfield Robert T. ; Heitxinger John M., Direct vapor delivery of enabling chemical for enhanced HF etch process performance.
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Roberts David A. (Carlsbad CA) Ivankovits John C. (Northampton PA) Norman John A. T. (Whitehall PA) Bohling David A. (Emmaus PA), Etching agents comprising bb 상세보기

George Mark A. (Allentown PA) Bohling David A. (Emmaus PA), Gas phase cleaning agents for removing metal containing contaminants from integrated circuit assemblies and a process fo.

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Blackwood Robert S. (Lubbock TX) Biggerstaff Rex L. (Lubbock TX) Clements L. Davis (Lincoln NE) Cleavelin C. Rinn (Lubbock TX), Gaseous process and apparatus for removing films from substrates.

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Ivankovits John C. (Allentown PA) Bohling David A. (Emmaus PA) Roberts David A. (Carlsbad CA), Halogenated carboxylic acid cleaning agents for fabricating integrated circuits and a process for using the same.

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Chen, Hung-Ming; Yu, Shao-Ming; Chang, Chang-Yun, Integrated circuit including FINFETs and methods for forming the same.
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Lin, Shun Wu; Lim, Peng-Soon; Yeh, Matt; Hui, Ouyang, Method of controlling gate thickness in forming FinFET devices.
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Cantell, Marc W.; Chopdekar, Rajesh; Geiss, Peter J., Method of fabricating a bipolar transistor having a realigned emitter.
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Shim,Joon Bum, Methods and apparatus for cleaning semiconductor devices.
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Shi, Hongqin; Schaadt, Gregory P., Methods and apparatus of etch process control in fabrications of microstructures.
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A	생활필수품
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A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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