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Process to improve adhesion of PECVD cap layers in integrated circuits 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • C23C-014/16
출원번호 US-0121180 (1998-07-22)
발명자 / 주소
  • Annapragada Rao V.
  • Tafari Tekle M.
  • Bothra Subhas
출원인 / 주소
  • Philips Semiconductor Inc.
대리인 / 주소
    Oppenheimer Wolff & Donnelly LLP
인용정보 피인용 횟수 : 18  인용 특허 : 1

초록 ▼

A method for making a multi-layered integrated circuit structure, includes depositing a methyl compound spin on glass layer over a substrate. The spin on glass layer is treated by plasma-deposition to form a SiO.sub.2 skin on the methyl compound spin on glass layer and then treated again by plasma-d

대표청구항 ▼

[ What is claimed is:] [1.]1. A method for making a multi-layered integrated circuit structure comprising:depositing a methyl silsesquioxane spin on glass layer over a substrate; andplasma-deposition treating said methyl silsesquioxane spin on glass layer under a first set of conditions comprising a

이 특허에 인용된 특허 (1)

  1. Wood Thomas E. (Chandler AZ) Hughes Henry G. (Scottsdale AZ), Semiconductor processing utilizing carbon containing thick film spin-on glass.
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이 특허를 인용한 특허 (18)

  1. Gronbeck,Dana A.; Gallagher,Michael K.; Calvert,Jeffrey M.; Prokopowicz,Gregory P.; Adams,Timothy G., Electronic device manufacture.
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  2. Wilson, Joseph, Filter system for turbine engine.
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  3. Hampden-Smith, Mark J.; Kowalski, Mark H., Forming photovoltaic conductive features from multiple inks.
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  4. Berry, III, Ivan Louis; Chung, Kyuha; Han, Qingyuan; Liu, Youfan; Moyer, Eric Scott; Spaulding, Michael John, High modulus, low dielectric constant coatings.
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  5. Berry, III, Ivan Louis; Chung, Kyuha; Han, Qingyuan; Liu, Youfan; Moyer, Eric Scott; Spaulding, Michael John, High modulus, low dielectric constant coatings.
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  6. Li, Weidan; Catabay, Wilbur G.; Hsia, Wei-Jen, Integrated circuit structure having low dielectric constant material and having silicon oxynitride caps over closely spaced apart metal lines.
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  7. Jeong, Hyun-dam; Park, Hee-sook; Shin, Hong-jae; Kim, Byeong-jun, Method for fabricating a multi-layered dielectric layer including insulating layer having Si-CH3 bond therein.
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  8. Cheng-Yuan Tsai TW; Chin-Hsiang Lin TW; Ming-Sheng Yang TW, Method of manufacturing multilevel interconnects including performing a surface treatment to form a hydrophilic surface layer.
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  9. Usami,Tatsuya, Method of producing a semiconductor device having a multi-layered insulation film.
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  10. Tsui,Ting Yiu; McKerrow,Andrew John; Jacques,Jeannette M., Method to increase mechanical fracture robustness of porous low k dielectric materials.
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  11. Yokota, Yoshitaka; Olsen, Christopher S.; Tjandra, Agus Sofian; Cho, Yonah; Rogers, Matthew S., Methods of forming oxide layers on substrates.
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  12. Hyun-dam Jeong KR; Hee-sook Park KR; Hong-jae Shin KR; Byeong-jun Kim KR, Multi-layered dielectric layer including insulating layer having Si-CH3 bond therein and method for fabricating the same.
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  13. Berry, III, Ivan L.; Bridgewater, Todd; Chen, Wei; Han, Qingyuan; Moyer, Eric S.; Spaulding, Michael J.; Waldfried, Carlo, Plasma curing process for porous silica thin film.
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  14. Usami, Tatsuya, Semiconductor device and semiconductor wafer having a multi-layered insulation film.
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  15. Usami, Tatsuya, Semiconductor device, semiconductor wafer, and methods of producing same device and wafer.
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  16. Usami, Tatsuya, Semiconductor device, semiconductor wafer, and methods of producing the same device and wafer.
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  17. Clevenger, Lawrence A.; Chiras, Stefanie R.; Dalton, Timothy; Demarest, James J.; Dunn, Darren N.; Dziobkowski, Chester T.; Flaitz, Philip L.; Lane, Michael W.; Lloyd, James R.; Restaino, Darryl D.; Shaw, Thomas M.; Wang, Yun-Yu; Yang, Chih-Chao, Structure to improve adhesion between top CVD low-K dielectric and dielectric capping layer.
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  18. Waldfried, Carlo; Han, Qingyuan; Escorcia, Orlando; Berry, III, Ivan L., Ultraviolet curing processes for advanced low-k materials.
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