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Gas mixing apparatus and method 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-021/44
출원번호 US-0550448 (2000-04-17)
발명자 / 주소
  • Chen Chen-An
  • Nakanishi Koji,JPX
  • Chen Aihua
출원인 / 주소
  • Applied Materials, Inc.
대리인 / 주소
    Townsend & Townsend & Crew
인용정보 피인용 횟수 : 15  인용 특허 : 9

초록

The present invention provides apparatus, systems, and methods related to the manufacture of integrated circuits. Specifically, embodiments of the present invention include apparatus designed to provide thorough and reliable fluid mixture for gases used in a semiconductor processing system. In one e

대표청구항

[ What is claimed is:] [6.]6. A method for fabricating an integrated circuit device, said method comprising the steps of:flowing a plurality of gases into a gas mixture apparatus;separating the plurality of gases into two or more gas portions;colliding the gas portions with each other to form a mixe

이 특허에 인용된 특허 (9)

  1. Westmoreland Donald (Boise ID), CVD method for semiconductor manufacture using rapid thermal pulses.
  2. Dan Jean-Pierre (Malvaglia-Chiesa CHX) De Boni Eros (Giornico CHX) Frey Peter (Ascona CHX) Ifanger Johann (Ronco s/Ascona CHX), Epitaxial facility.
  3. Tanaka ; Shinzo ; Tsubamoto ; Shinichi ; Yamashita ; Koichi ; Eguchi ; T adashi ; Inoue ; Kashirou, Method and apparatus for collectively sampling a plurality of gaseous phases in desired proportions for gas analysis or.
  4. Shrotriya Ashish ; Bryant Todd C., Method and apparatus for directing fluid through a semiconductor processing chamber.
  5. Barbini ; Richard J., Motionless mixer.
  6. Ehrfeld Wolfgang (Karlsruhe DEX) Krieg Gunther (Karlsruhe DEX), Motionless mixer.
  7. Olsson Sven-Gunnar (Soedra Sandby SEX) Jonson Bjrn (Lund SEX) Neuman Hanna (Solna SEX), Process and apparatus for mixing gases in a specific proportion and dosing the resultant gas mixture.
  8. Federighi James L. (Cary IL) Federighi Anthony R. (Palatine IL), Static material mixing apparatus.
  9. Telford Susan G. (Untergruppenbach DEX) Tseng Meng C. (Saratoga CA) Aruga Michio (Inba-gun JPX) Eizenberg Moshe (Haifa ILX), Uniform tungsten silicide films produced by chemical vapor deposition.

이 특허를 인용한 특허 (15)

  1. Yudovsky, Joseph; Nguyen, Anh N.; Ngo, Tai T., Atomic layer deposition chamber with multi inject.
  2. Strang, Eric, Chemical processing system and method.
  3. Mudd, Daniel T.; Mudd, Patti J., Flow control system, method, and apparatus.
  4. Schmidt, Ryan M.; Verghese, Mohith, Gas mixer and manifold assembly for ALD reactor.
  5. Schmidt, Ryan M.; Verghese, Mohith, Gas mixer and manifold assembly for ALD reactor.
  6. Schmidt, Ryan M; Verghese, Mohith, Gas mixer and manifold assembly for ALD reactor.
  7. Provencher, Timothy J.; Hickson, Craig B., High temperature ALD inlet manifold.
  8. Mudd, Daniel T.; Mudd, Patti J., Low flow injector to deliver a low flow of gas to a remote location.
  9. Kim,Do Hyung; Kim,Sung Eui, Method for forming layer for trench isolation structure.
  10. Arami, Junichi; Okazaki, Kenji, Plasma etching apparatus.
  11. Mudd, Daniel T.; Mudd, Patti J, Pressure based mass flow controller.
  12. Dunn, Todd; White, Carl; Halpin, Mike; Shero, Eric; Terhorst, Herbert; Winkler, Jerry, Pulsed valve manifold for atomic layer deposition.
  13. Lee, James Forest; Lamar, Mitchell; Mudrow, Matthew Scott; Weissinger, Mathew Joseph; Shanbhag, Damodar, Turbulent flow spiral multi-zone precursor vaporizer.
  14. Hilzendegen, Philipp; Bruck, Peter; Dehlinger, Dominique, Valve for valve assembly.
  15. White, Carl L.; Shero, Eric, Vapor flow control apparatus for atomic layer deposition.
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