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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0834435 (2001-04-13) |
우선권정보 | JP0208711 (1998-07-07) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 12 인용 특허 : 4 |
There is disclosed a method of fabricating an SOI wafer in which a bond wafer to form a SOI layer and a base wafer to be a supporting substrate are prepared; an oxide film is formed on at least the bond wafer; hydrogen ions or rare gas ions are implanted in the bond wafer via the oxide film in order
[ What is claimed is:] [1.]1. An SOI wafer produced by bonding two wafers which has a bonded surface in a buried oxide layer, or between the buried oxide layer and a base wafer, and thickness uniformity of an SOI layer is .+-.1.5 nm or less.
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