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Method for manufacturing bonded wafer and bonded wafer 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-021/34
출원번호 US-0350143 (1999-07-09)
우선권정보 JP0195955 (1998-07-10)
발명자 / 주소
  • Yokokawa Isao,JPX
  • Mitani Kiyoshi,JPX
출원인 / 주소
  • Shin-Etsu Handotai Co., Ltd., JPX
대리인 / 주소
    Greenblum & Bernstein, P.L.C.
인용정보 피인용 횟수 : 41  인용 특허 : 5

초록 ▼

The object of the invention is to provide a bonded wafer in which an inferior bonding state of the bonded wafer attained by a hydrogen ion delamination method is reduced, no separation or no void is found at the connecting interface under a superior production characteristic and in a low cost. In a

대표청구항

[ What is claimed is:] [1.]1. A method for manufacturing a bonded wafer by a hydrogen ion delamination method, comprising having a carbon concentration at close contacted surfaces of both wafers of 5.times.10.sup.14 atoms/cm.sup.2 or less.

이 특허에 인용된 특허 (5)

  1. Henley Francois J. ; Cheung Nathan W., Gettering technique for silicon-on-insulator wafers.
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  2. Inoue Shunsuke,JPX ; Miyawaki Mamoru,JPX ; Fukumoto Yoshihiko,JPX, Method for manufacturing semiconductor substrate.
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  3. Ito Tatsuo (Niigata JPX) Nakazato Yasuaki (Nagano JPX), Method for production of bonded wafer.
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  4. Sakaguchi Kiyofumi,JPX ; Yonehara Takao,JPX, Process for producing semiconductor article.
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  5. Bruel Michel (Veurey FRX), Process for the production of thin semiconductor material films.
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이 특허를 인용한 특허 (41)

  1. Cattet, Sébastien; Cattet-Guerrini, legal representative, Guillaume; Guerrini, legal representative, Lise; Ben Mohamed, Nadia; Scarfogliere, Benjamin, Controlled temperature implantation.
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  2. Yamazaki, Shunpei, Display device, method for manufacturing display device, and SOI substrate.
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  3. Yamazaki, Shunpei, Display device, method for manufacturing display device, and SOI substrate.
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  4. Yamazaki, Shunpei, Light-emitting device.
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  5. Yamazaki, Shunpei, Light-emitting device including color filter and black matrix.
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  6. Sekiguchi, Keiichi; Hanaoka, Kazuya; Ito, Daigo, Manufacturing method of SOI substrate.
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  7. Tanaka, Koichiro, Manufacturing method of semiconductor substrate.
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  8. Tsukamoto, Akira, Manufacturing method of solid-state image sensor.
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  9. Tsukamoto, Akira, Manufacturing method of solid-state image sensor.
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  10. Komatsu, Yoshihiro; Moriwaka, Tomoaki; Takahashi, Kojiro, Method for forming SOI substrate and apparatus for forming the same.
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  11. Csutak, Sebastian M.; Fowler, Burt W., Method for forming a semiconductor device for detecting light.
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  12. Shimomura, Akihisa; Tokunaga, Hajime, Method for manufacturing SOI substrate.
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  13. Morita, Etsuro; Endo, Akihiko, Method for manufacturing SOI wafer.
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  14. Tanaka, Koichiro, Method for manufacturing semiconductor device.
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  15. Yamazaki, Shunpei, Method for manufacturing semiconductor substrate, and semiconductor device.
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  16. Yamazaki, Shunpei, Method for manufacturing semiconductor substrate, and semiconductor device.
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  17. Maleville,Christophe; Maunand Tussot,Corinne, Method for preparing a bonding surface of a semiconductor layer of a wafer.
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  18. Aga, Hiroji; Tate, Naoto; Kuwabara, Susumu; Mitani, Kiyoshi, Method for producing SOI wafer and SOI wafer.
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  19. Aga,Hiroji; Tate,Naota; Kuwabara,Susumu; Mitani,Kiyoshi, Method for producing SOI wafer and SOI wafer.
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  20. Timothy Daryl Stanley ; Peter Stanley, Method for producing SOI wafers by delamination.
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  21. Nakano, Masatake; Yokokawa, Isao; Mitani, Kiyoshi, Method for producing bonded wafer and bonded wafer.
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  22. Maleville,Christophe; Letertre,Fabrice; Maurice,Thibaut; Mazure,Carlos; Metral,Fred챕ric, Method for recycling a substrate.
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  23. Kerdiles, Sébastien; Michel, Willy; Schwarzenbach, Walter; Delprat, Daniel; Ben Mohamed, Nadia, Method of bonding two substrates.
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  24. Morimoto, Nobuyuki; Endo, Akihiko, Method of manufacturing bonded wafer.
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  25. Maunand Tussot, Corinne; Maleville, Christophe; Moriceau, Hubert; Soubie, Alain, Methods for preparing a bonding surface of a semiconductor wafer.
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  26. Abe, Takao; Takei, Tokio; Okabe, Keiichi; Miyajima, Hajime, Production method for silicon wafer and SOI wafer, and SOI wafer.
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  27. Yamazaki, Shunpei; Ohnuma, Hideto, SOI substrate and method for manufacturing SOI substrate.
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  28. Yamazaki, Shunpei; Togawa, Maki; Arai, Yasuyuki, SOI substrate and method for manufacturing SOI substrate.
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  29. Yamazaki, Shunpei; Togawa, Maki; Arai, Yasuyuki, SOI substrate and method for manufacturing SOI substrate.
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  30. Ohnuma, Hideto; Kakehata, Tetsuya; Iikubo, Yoichi, SOI substrate, method for manufacturing the same, and semiconductor device.
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  31. Ohnuma, Hideto; Kakehata, Tetsuya; Iikubo, Yoichi, SOI substrate, method for manufacturing the same, and semiconductor device.
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  32. Ohnuma, Hideto; Kakehata, Tetsuya; Iikubo, Yoichi, SOI substrate, method for manufacturing the same, and semiconductor device.
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  33. Aga, Hiroji; Mitani, Kiyoshi, SOI wafer and method for producing the same.
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  34. Gadkaree,Kishor Purushottam, Semiconductor on glass insulator made using improved ion implantation process.
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  35. Cherekdjian, Sarko, Semiconductor structure made using improved multiple ion implantation process.
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  36. Cherekdjian, Sarko, Semiconductor structure made using improved multiple ion implantation process.
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  37. Cherekdjian, Sarko, Semiconductor structure made using improved pseudo-simultaneous multiple ion implantation process.
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  38. Cherekdjian, Sarko, Semiconductor structure made using improved simultaneous multiple ion implantation process.
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  39. Doyle, Brian S., Thin film using non-thermal techniques.
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  40. Coletti,St챕phane; Duquennoy Pont,V챕ronique, Treatment of semiconductor wafers.
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  41. Kim, Jung-ho; Bae, Dae-lok; Lee, Jong-wook; Choi, Seung-woo; Kang, Pil-kyu, Wafer temporary bonding method using silicon direct bonding.
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