[특허]Method and an apparatus for forming an under bump metallization structure

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Method and an apparatus for forming an under bump metallization structure 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H01L-023/528
출원번호	US-0389162 (1999-09-02)
발명자 / 주소	Li Jian Mu Xiao-Chun Balakrishnan Sridhar
출원인 / 주소	Intel Corporation
대리인 / 주소	Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP
인용정보	피인용 횟수 : 9 인용 특허 : 8

초록 ▼

One embodiment of the invention involves a refractory layer formed over a substrate during rapid thermal processing in which ambient hydrogen is used in a thermal processing chamber. Rapid thermal processing may occur at a temperature approximately in the range of 350.degree. C. to approximately 550

대표청구항 ▼

[ We claim:] [1.]1. An apparatus comprising:a passivation layer disposed over a substrate;a pad disposed over the substrate and exposed through the passivation layer;an underbump metalization layer disposed over the passivation layer and the pad; anda refractory hydride layer formed from a portion o

이 특허에 인용된 특허 (8)

Kleffner James H. ; Mistry Addi Burjorji, Bumped semiconductor device having a trench for stress relief.
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Mitchell Douglas G. ; Carney Francis J. ; Woolsey Eric J., Interconnect system and method of fabrication.
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Cook Herbert Carl ; Farrar ; Sr. Paul Alden ; Geffken Robert Michael ; Motsiff William Thomas ; Wirsing Adolf Ernest, Metallization composite having nickel intermediate/interface.
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Akram Salman, Method of forming conductive bumps on die for flip chip applications.
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Lynch Brian (Milpitas CA) O\Brien Patrick (Palo Alto CA), Process for making an interconnect bump for flip-chip integrated circuit including integral standoff and hourglass shape.
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Crafts Douglas E. (San Jose CA) Murali Venkatesan (San Jose CA) Lee Caroline S. (Fresh Meadows NY), Process for single mask C4 solder bump fabrication.
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Kondo Ichiharu (Nagoya JPX) Noritake Chikage (Ama-gun JPX) Watanabe Yusuke (Obu JPX), Semiconductor device with bump structure.
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Delfino Michelangelo ; McFarland Ronald C., Use of titanium hydride in integrated circuit fabrication.
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이 특허를 인용한 특허 (9)

Seshan, Krishan, Ball limiting metallurgy for input/outputs and methods of fabrication.
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Seshan, Krishna, Ball limiting metallurgy for input/outputs and methods of fabrication.
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Hua,Fay, Electromigration barrier layers for solder joints.
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Hua,Fay, Electromigration barrier layers for solder joints.
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Hatano, Masaaki; Usui, Takamasa, Semiconductor device.
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Lin, Yaojian, Semiconductor device and method of wafer level package integration.
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Fang, Jen Kuang; Chiang, Ching Hua; Chen, Shih Kuang; Weng, Chau Fu, Semiconductor device having bump electrodes.
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Seliger,Frank; Lehr,Matthias; Wieland,Marcel; Mergili,Lothar; Kuechenmeister,Frank, Semiconductor substrate thinning method for manufacturing thinned die.
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Lin, Yaojian, Wafer level package integration and method.
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특허 원문 보기

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IPC 상위 출원인

특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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