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특허 상세정보

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Semiconductor device using a thermal treatment of the device in a pressurized steam ambient as a planarization technique

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) H01L-021/31    H01L-021/469   
미국특허분류(USC) 438/760 ; 438/783
출원번호 US-0050561 (1998-03-30)
우선권정보 JP0079498 (1997-03-31)
발명자 / 주소
출원인 / 주소
대리인 / 주소
    Hutchins, Wheeler & Dittmar
인용정보 피인용 횟수 : 2  인용 특허 : 5
초록
▼

A method for manufacturing a semiconductor device comprises forming a silicon nitride film, a BPSG film, and a SOG silicon oxide film containing boron or phosphorous on a transistor element, thermally treating the resultant wafer in a pressurized steam ambient, and thermally treating the wafer in an inactive gas ambient. The first thermal treatment causes hydrolysis of the SOG film to form a gel state of the SOG film, whereas the second thermal treatment hardens the SOG film by removing H.sub.2 O content in the SOG film. The phosphorous or boron in the S...

대표
청구항

[ What is claimed is:] [6.]6. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising:forming on the semiconductor device a cured spin-on-glass film containing at least one of: phosphorus and boron;changing at least a portion of the cured spin-on-glass film to a gel state by exposing the cured spin-on-glass film to an ambient pressurized steam causing hydrolysis of the portion of the cured spin-on-glass film to the gel state; andhardening the spin-on-glass film in an inactive gas ambient.

이 특허에 인용된 특허 (5)

  1. Leung Chung W. (Belle Mead NJ) Dawson Robert H. (Princeton NJ) Blumenfeld Martin A. (Tequesta FL) Biondi Dennis P. (Santa Ana CA). Low temperature elevated pressure glass flow/re-flow process. USP1983124420503.
  2. Thakur Randir P. S. (Boise ID) Gonzalez Fernando (Boise ID). Method for optimizing thermal budgets in fabricating semiconductors. USP1995045409858.
  3. Razouk Reda (Sunnyvale CA). Method of inducing flow or densification of phosphosilicate glass for integrated circuits. USP1984064455325.
  4. Ghneim Said N. ; Fulford ; Jr. H. Jim. Method of making non-volatile memory device having a floating gate with enhanced charge retention. USP1998095801076.
  5. Matsuda Tetsuo (Poughkeepsie NY) Okumura Katsuya (Poughkeepsie NY). Method of planarizing a semiconductor workpiece surface. USP1997105679610.

이 특허를 인용한 특허 피인용횟수: 2

  1. Herbots, Nicole; Whaley, Shawn; Culbertson, Robert; Bennett-Kennett, Ross; Murphy, Ashlee; Bade, Matthew; Farmer, Sam; Hudzietz, Brance. Methods for wafer bonding and for nucleating bonding nanophases using wet and steam pressurization. USP2017039589801.
  2. Herbots, Nichole; Bennett-Kennett, Ross; Murphy, Ashlee; Hughes, Brett; Acharya, Ajjya; Watson, Clarizza; Culbertson, Robert. Methods for wafer bonding, and for nucleating bonding nanophases. USP2016089418963.

IPC 상위 출원인