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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0187846 (1998-11-06) |
우선권정보 | JP0307719 (1997-11-10) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 25 인용 특허 : 11 |
An insulation film is formed on a first single crystal silicon substrate, e.g., a hydrogen anneal substrate, an intrinsic gettering substrate and an epitaxial substrate. Hydrogen implantation is carried out from a surface of this insulation film, thereby forming a hydrogen implantation region in the
[ What is claimed is:] [1.]1. A method for producing a laminated SOI substrate, comprising the steps of:forming an insulation film on a surface of a first single crystal silicon substrate which has one kind of substrate selected from a group consisting of a hydrogen anneal substrate, an intrinsic ge
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