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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0220906 (1998-12-24) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 41 인용 특허 : 5 |
A method is provided for fabricating tungsten sputter targets having a density of at least about 97% of theoretical density and an oxygen content of at least about 100 ppm less than the starting powder. According to the principles of the present invention, a tungsten powder having a powder size less
[ What is claimed is:] [1.]1. A method of fabricating high-density tungsten sputter targets, comprising the steps of:hot-isostatic-pressing a tungsten powder at a temperature between about 1200.degree. C. and about 1600.degree. C. and a pressure of at least about 15 ksi for at least about 3 hours in
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