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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0304960 (1994-09-13) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 13 |
A method of ion implantation using oxygen backfill and a modified surface layer formed therefrom are provided. The method of ion implantation includes the steps of placing a substrate metal in an ion implantation vacuum chamber, introducing oxygen into the ion implantation vacuum chamber and directi
1. A method of ion implantation, comprising the steps of:placing a substrate metal selected from the group consisting of aluminum and aluminum-based alloys in an ion implantation vacuum chamber; introducing oxygen molecules into the ion implantation vacuum chamber to a pressure in the range of 1.tim
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