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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0386360 (1999-08-31) |
우선권정보 | KR-0039667 (1998-09-24) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 5 인용 특허 : 3 |
A metallization process for manufacturing semiconductor devices and a system that uses the same that minimizes corrosion failures in aluminum patterns. The process for the metal pattern formation is carried out by loading a semiconductor wafer into an etching chamber, the semiconductor wafer having
1. A metallization process for manufacturing semiconductor devices, comprising the steps of:a) loading a semiconductor wafer into a load lock chamber, the semiconductor wafer having a photoresist pattern formed over a metal material layer to be etched; b) pumping and purging the load lock chamber; c
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