최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0434365 (1999-11-05) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 89 인용 특허 : 3 |
A method for improving the performance of an organic thin film field effect transistor comprising the steps of: (a) forming a transistor structure having patterned source and drain electrodes; and (b) treating the patterned source and drain electrodes with a thiol compound having the formula, RSH, w
1. An organic thin film transistor comprising at least bottom source/drain electrodes having an organic semiconductor formed over said bottom source/drain electrodes, wherein said bottom source/drain electrodes have a self-assembled monolayer formed thereon, said self-assembled monolayer comprising
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.