[특허]Method of fabricating a silicon solar cell

Sunpower Corporation; Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha JP

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Method of fabricating a silicon solar cell

특허상세정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H01L-021/302
미국특허분류(USC)	438/706; 438/725; 136/256
출원번호	US-0475256 (1999-12-30)
발명자 / 주소	Pierre J. Verlinden Akira Terao Haruo Nakamura JP Norio Komura JP Yasuo Sugimoto JP Junichi Ohmura JP
출원인 / 주소	Sunpower Corporation Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha JP
대리인 / 주소	Arent Fox Kintner Plotkin & Kahn, PLLC
인용정보	피인용 횟수 : 108 인용 특허 : 8

초록
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A method of fabricating a back surface point contact silicon solar cell having p-doped regions and n-doped regions on the same side by forming a passivating layer on a surface of the cell having opened windows at the p-doped regions and the n-doped regions, b depositing and patterning a first metal layer on the passivating layer in such a way that the first metal layer comes into contact with the p-doped regions and the n-doped regions, by depositing a first insulator layer of polyimide on the first metal layer, by etching and patterning the first insulator layer of polyimide in such a way that the insulator layer has opened windows at, at least one of the p-doped regions and the n-doped regions, by depositing a second insulator layer of polyimide on the first insulator layer of polyimide, by etching and patterning the second insulator layer of polyimide in such a way that the insulator layer has opened windows at, at least one of the p-doped regions and the n-doped regions, by curing the first insulator layer of polyimide by heating at a predetermined second temperature for a predetermined second time, and by depositing a second metal layer on the second insulator layer of polyimide in such a way that the second metal layer comes into contact with the one of the p-doped regions and the n-doped regions. With this, the cell surface to be soldered onto a metallized substrate is well planarized and even to ensure sufficient conductibility, with less voids and less solder fatigue.

대표
청구항
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1. A method of fabricating a silicon solar cell having p-doped regions and n-doped regions on a same side, comprising the steps of:(a) forming a passivating layer on a surface of the cell having opened windows at the p-doped regions and the n-doped regions; (b) depositing and patterning a first metal layer on the passivating layer in such a way that the first metal layer comes into contact with the p-doped regions and the n-doped regions; (c) depositing a first insulator layer of polyimide on the first metal layer; (d) etching and patterning the first insulator layer of polyimide in such a way that the insulator layer has opened windows at, at least one of the p-doped regions and the n-doped regions; (e) depositing a second insulator layer of polyimide on the first insulator layer of polyimide; (f) etching and patterning the second insulator layer of polyimide in such a way that the insulator layer has opened windows at, at least one of the p-doped regions and the n-doped regions; (g) curing the first and second insulator layers of polyimide by heating at a predetermined temperature for a predetermined time; and (h) depositing a second metal layer on the second insulator of polyimide in such a way that the second metal layer comes into contact with the one of the p-doped regions and the n-doped regions.

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구성항목	관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표IPC 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 공고번호, 공고일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표출원인, 출원인국적, 출원인주소, 발명자, 발명자E, 발명자코드, 발명자주소, 발명자 우편번호, 발명자국적, 대표IPC, IPC코드, 요약, 미국특허분류, 대리인주소, 대리인코드, 대리인(한글), 대리인(영문), 국제공개일자, 국제공개번호, 국제출원일자, 국제출원번호, 우선권, 우선권주장일, 우선권국가, 우선권출원번호, 원출원일자, 원출원번호, 지정국, Citing Patents, Cited Patents
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