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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0060675 (1998-04-15) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 20 인용 특허 : 18 |
An ion implantation process system, including an ion implanter apparatus for carrying out an ion implantation process. A supply of source gas for the ion implantation process is arranged to flow to the ion implanter apparatus, which discharges an effluent gas stream including ionization products of
1. An ion implantation process system, comprising (a) a supply of source gas for the ion implantation process, joined in flow communication with (b) an ion implanter apparatus, with the ion implanter apparatus discharging an effluent gas stream to (c) a dry scrubber effluent abatement apparatus, for
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