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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0439997 (1999-11-15) |
우선권정보 | JP-0350545 (1992-12-04); JP-0204775 (1993-07-27) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 53 인용 특허 : 99 |
A method for manufacturing a semiconductor device such as a thin film transistor using a crystal silicon film is provided. The crystal silicon film is obtained by selectively forming films, particles or clusters containing nickel, iron, cobalt, ruthenium, rhodium, parad.ium, osmium, iridium, platinu
1. A method for manufacturing a semiconductor device comprising the steps of:forming a semiconductor film comprising amorphous silicon over a substrate; forming a metal layer on said semiconductor film by sputtering; heating said semiconductor film and said metal layer so that a portion of said meta
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