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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0547048 (2000-04-10) |
우선권정보 | JP-0106495 (1999-04-14) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 12 인용 특허 : 0 |
A SiO2 layer is formed on a heat sink section having a cavity by thermal oxidation and an aluminum oxide layer is formed on the SiO2 layer by an electron beam evaporation process at a substrate temperature of 60.degree. C. or less and at a deposition rate of 0.8 nm/s or less. The resulting aluminum
1. An infrared sensor comprising:a heat insulating thin-film; a heat sink section supporting the heat insulating thin-film; and a thermoelectric infrared detecting element on the heat insulating thin-film; wherein the heat insulating thin-film comprises an insulating layer comprising an aluminum oxi
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