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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0634444 (2000-08-08) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 24 인용 특허 : 3 |
A method for fabricating MEMS wherein a structural member is released without using a sacrificial layer. In one embodiment, the method comprises forming a buried hydrogen-rich layer in a semiconductor substrate, defining a release structure in the semiconductor substrate above the buried hydrogen-ri
1. A method comprising:forming a buried hydrogen-rich layer in a localized region within a semiconductor substrate; defining a release structure in said semiconductor substrate above said localized region; and separating at least a portion of said release structure from said semiconductor substrate
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