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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0496597 (2000-02-02) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 41 인용 특허 : 7 |
The method of the invention causes fracture of a semiconductor layer containing semiconductor devices from a support layer and requires no masking of the semiconductor device features during an implantation action. The method initially implants protons throughout an entirety of the semiconductor lay
1. A method comprising:implanting protons through at least one semiconductor device and into a layer of semiconductor, wherein the implanted protons form a hydrogen-enriched sub-layer within said layer of semiconductor; heating said layer of semiconductor to a temperature that is sufficient to cause
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