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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0559907 (2000-04-26) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 13 인용 특허 : 4 |
An integrated circuit and method of fabrication are disclosed for achieving electrical isolation between a spiral inductor and an underlying silicon substrate using standard semiconductor manufacturing process flow. A spiral conductor with square windings is formed in metal layer (20) patterned so t
1. A method of fabricating an inductor monolithically integrated in a semiconductor die, comprising:providing a semiconductor substrate; forming a first layer of conductive material on the substrate; patterning the first conductive layer to form a series of concentric rings; forming a layer of insul
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