검색연산자 | 기능 | 검색시 예 |
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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) | G03F-009/00 |
미국특허분류(USC) | 430/005 |
출원번호 | US-0498552 (2000-02-04) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 19 |
A process of growing silicon oxide to a highly calibrated thickness is provided. In one embodiment, a silicon precursor material is deposited to a first thickness on a substrate, such as a fused glass substrate used for forming microlithography masks. The precursor material is then selectively exposed to ionization and the non-ionized portions of the precursor material are then selectively etched leaving only the implanted portion of the precursor material of the first thickness. The implanted material is then oxidized resulting in an oxide structure hav...
1. A phase shift photolithography mask comprising:a light transmitting substrate; a layer of opaque material having a plurality of light transmitting holes formed therein allowing light to travel through the opaque material to the light transmitting substrate; a phase shifting structure positioned on the substrate in a position where light traveling through one of the plurality of light transmitting holes travels through the phase shifting structure wherein the phase shifting structure has a precisely controlled thickness within a tolerance value of a de...