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특허 상세정보

Oxide structure having a finely calibrated thickness

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) G03F-009/00   
미국특허분류(USC) 430/005
출원번호 US-0498552 (2000-02-04)
발명자 / 주소
  • Kevin J. Torek
출원인 / 주소
  • Micron Technology, Inc.
대리인 / 주소
    Knobbe, Martens, Olson & Bear, LLP
인용정보 피인용 횟수 : 1  인용 특허 : 19
초록

A process of growing silicon oxide to a highly calibrated thickness is provided. In one embodiment, a silicon precursor material is deposited to a first thickness on a substrate, such as a fused glass substrate used for forming microlithography masks. The precursor material is then selectively exposed to ionization and the non-ionized portions of the precursor material are then selectively etched leaving only the implanted portion of the precursor material of the first thickness. The implanted material is then oxidized resulting in an oxide structure hav...

대표
청구항

1. A phase shift photolithography mask comprising:a light transmitting substrate; a layer of opaque material having a plurality of light transmitting holes formed therein allowing light to travel through the opaque material to the light transmitting substrate; a phase shifting structure positioned on the substrate in a position where light traveling through one of the plurality of light transmitting holes travels through the phase shifting structure wherein the phase shifting structure has a precisely controlled thickness within a tolerance value of a de...

이 특허에 인용된 특허 (19)

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  2. Grant Robert W. (Allenstown PA) Ruzyllo Jerzy (State College PA) Torek Kevin (State College PA), Controlled etching of oxides via gas phase reactions.
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  18. Hung Raymond ; Ding Jian ; Caulfield Joseph P. ; Yin Gerald Z., Self aligned contact etch using difluoromethane and trifluoromethane.
  19. Murarka Shyam P. (Clifton Park NY) Gutmann Ronald J. (Troy NY) Duquette David J. (Loudonville NY) Steigerwald Joseph M. (Aloha OR), Systems for performing chemical mechanical planarization and process for conducting same.