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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0431152 (1999-11-01) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 20 인용 특허 : 8 |
The present invention is a new and improved method for fabricating aluminum metal pad structures wherein a thin adhesion layer of aluminum is placed in between the underlying copper metal and the top tantalum nitride pad barrier layer providing improved adhesion to the pad metal stack structure. In
1. A method of fabricating multi-level interconnects in an integrated circuit and other devices on a substrate, the method comprising the steps of:(a) providing a substrate or a module; (b) providing said substrate with a layer of an interlevel dielectric over the substrate; (c) providing a first le
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