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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0950319 (1997-10-14) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 54 인용 특허 : 16 |
An integrated circuit includes at least one porous silicon oxycarbide (SiOC) insulator, which provides good mechanical strength and a low dielectric constant (e.g., .di-elect cons.R<2) for minimizing parasitic capacitance. The insulator provides IC isolation, such as between circuit elements, betwee
1. A method of fabricating a low capacitance insulator layer on an integrated circuit substrate, comprising:providing first and second circuit elements on the substrate coating at least a portion of a surface of the substrate with a mixture of oxide and carbon sources; and transforming the mixture o
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