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Method and apparatus for altering material 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • G21K-005/04
출원번호 US-0660463 (1997-12-05)
발명자 / 주소
  • Regan W. Stinnett
  • John B. Greenly
출원인 / 주소
  • Sandia Corporation
대리인 / 주소
    McDermott, Will & Emery
인용정보 피인용 횟수 : 1  인용 특허 : 7

초록

Methods and apparatus for thermally altering the near surface characteristics of a material are described. In particular, a repetitively pulsed ion beam system comprising a high energy pulsed power source and an ion beam generator are described which are capable of producing single species high volt

대표청구항

1. A method of surface treating a material, comprising the step of irradiating a surface of the material with a repetitively pulsed ion beam, wherein each spatially contiguous pulse of the pulsed ion beam has a duration of .ltoreq.500 ns at an accelerating gap between a cathode and an anode assembly

이 특허에 인용된 특허 (7)

  1. Humphries ; Jr. Stanley (Ithaca NY) Sudan Ravindra N. (Ithaca NY), Intense ion beam generator.
  2. Adler Richard J. (Albuquerque NM), Ion implantation source and device.
  3. Conrad John R. (Madison WI), Method and apparatus for plasma source ion implantation.
  4. Becker Christopher H. (Menlo Park CA) Gillen Keith T. (Palo Alto CA) Buttrill ; Jr. Sidney E. (Palo Alto CA), Method and apparatus for surface diagnostics.
  5. Stinnett Regan W. (Albuquerque NM), Negative ion generator.
  6. Ouderkirk Andrew J. (Woodbury MN) Dunn Douglas S. (Maplewood MN) Yu Edward C. (St. Paul MN) Bohlke Susan N. (Woodbury MN), Surface modification by accelerated plasma or ions.
  7. Robinson Frederick J. L. (Crawley GB2) Wauk ; II Michael T. (Haywards Heath GB2), Systems and methods for ion implantation of semiconductor wafers.

이 특허를 인용한 특허 (1)

  1. Shin, Dong-Ho; Jung, Moon-Youn, Device for generating heavy-ion beam and method thereof.
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