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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0578896 (2000-05-26) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 84 인용 특허 : 7 |
Process for lift-off of a thin layer from a crystalline substrate, preferably the layer from a silicon wafer to further form a silicon-on-insulator (SOI) sandwich structure, wherein a separative interlayer comprises a thin quasi-continuous gaseous layer and said interlayer is obtained by gettering a
1. A process comprising:disordering a first region of a first substrate; diffusing hydrogen into said first region of said first substrate by an electrolytic process; adding a first amount of energy to said first region of said first substrate; and separating at least a part of said first region fro
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