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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0296143 (1999-04-21) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 25 인용 특허 : 10 |
Systems and methods are described for transfer of a thin-film via implantation, wafer bonding, and separation. A method for transfer of a thin-film, includes: implanting a source crystal with ions along a crystallographic channel and at a temperature of at least approximately 200.degree. C. to i) fo
1. A method for transfer of a thin-film, comprising;implanting a source crystal with ions along a crystallographic channel of the source crystal to i) form a strained region and ii) define the thin-film; then bonding a surface of the thin-film to a target wafer; and then separating a) the target waf
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