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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0545850 (2000-04-10) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 4 인용 특허 : 10 |
An integrated system for producing high purity silicon dioxide comprising: a) a source of an oxygen-containing feed gas containing at least one impurity, b) an oxygen transport membrane cell containing an oxygen-selective transport membrane that has a cathode side and an opposing anode side, the mem
1. An integrated system for producing high purity silicon dioxide comprising:a) a source of an oxygen-containing feed gas containing at least one impurity, b) an oxygen transport membrane cell containing an oxygen-selective transport membrane that has a cathode side and an opposing anode side, said
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