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Thermal stability improvement of CoSi2 film by stuffing in titanium

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-021/336
  • H01L-021/28
  • H01L-021/44
  • H01L-021/4763
출원번호 US-0872558 (2001-06-04)
발명자 / 주소
  • Bei Chao Zhang SG
  • Chung Woh Lai SG
  • Eng Hua Lim SG
  • Mei Sheng Zhou SG
  • Peter Chew SG
  • Arthur Ang SG
출원인 / 주소
  • Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. SG
대리인 / 주소
    George O. Saile
인용정보 피인용 횟수 : 3  인용 특허 : 5

초록

A method for forming a thermally stable cobalt disilicide film in the fabrication of an integrated circuit is described. A semiconductor substrate is provided having silicon regions to be silicided. A cobalt layer is deposited overlying the silicon regions to be silicided. A capping layer is deposit

대표청구항

1. A method of fabricating a cobalt disilicide film in the manufacture of an integrated circuit comprising:providing a semiconductor substrate having silicon regions to be silicided; depositing a cobalt layer overlying said silicon regions to be silicided; depositing a capping layer overlying said c

이 특허에 인용된 특허 (5)

  1. Nogami Takeshi,JPX ; Chen Robert ; Morales Guarionex, Cobalt silicidation using tungsten nitride capping layer.
  2. Ichimori Takashi,JPX ; Hirashita Norio,JPX, Method for fabricating a semiconductor device having a metallic silicide layer.
  3. Pan Yang,SGX ; Wong Harianto,SGX, Method for forming a polycide gate electrode.
  4. Huang Hsin-Yuan,TWX ; Peng Yuan-Ching,TWX ; Chen Lih-Juann,TWX ; Hsieh Yong-Fen,TWX, Method of manufacturing cobalt silicide layer.
  5. Pey Kin-Leong,SGX ; Siah Soh-Yun,SGX ; Lee Yong-Meng,SGX, Silicon nitride--TEOS oxide, salicide blocking layer for deep sub-micron devices.

이 특허를 인용한 특허 (3)

  1. Laprade, Jean-Paul; Albenice, Philip J.; Donatelli, Jean; Geurtsen, John W., Laminate with a heat-activatable expandable layer.
  2. Park,Sung hyung; Lee,Hi Deok, Method of improving residue and thermal characteristics of semiconductor device.
  3. Song, Won-Sang; Yang, Jeong-Hwan; Park, In-Sun; Yoon, Byoung-Moon, Semiconductor device having a metal silicide layer and method for manufacturing the same.
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