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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0458593 (1999-12-10) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 25 인용 특허 : 12 |
An architecture and method of fabrication for an integrated circuit 200 having a bond pad 208; at least one portion of said integrated circuit disposed under said contact pad and electrically connected to said pad through a via 205; a combination of a bondable metal layer 207, a stress-absorbing met
1. An integrated circuit comprising:a contact pad; at least one active portion including active circuit elements of said integrated circuit disposed directly under said contact pad and electrically connected to said pad through a via; said pad comprising a combination of a bondable metal layer and a
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