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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0745838 (2000-12-26) |
우선권정보 | KR-0060930 (1999-12-23) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 8 인용 특허 : 7 |
To accomplish low power consumption of a semiconductor memory device, an internal voltage generating apparatus of the present invention applies an internal power voltage having the lower potential level as an operation voltage of a chip. By differentiating the internal power voltage for each of a pe
1. A dual internal voltage generating apparatus comprising;a reference potential generating means for generating a reference voltage having a predetermined potential level; a first and a second potential amplifying means, parallel to each other, for amplifying the reference voltage; a first referenc
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