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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0543998 (2000-04-06) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 63 인용 특허 : 7 |
A process for manufacturing a silicon-on-insulator wafer from a silicon wafer assembly. The assembly is made of two wafers. One of the wafers contains a fragile layer. The fragile layer is a layer containing a high amount of hydrogen. An amount of energy from an energy source is applied to the assem
1. A process for manufacturing a silicon-on-insulator wafer from a silicon wafer assembly, said process comprising the steps of:providing a wafer assembly comprising a donor substrate having an insulator layer on a surface and a hydrogen-rich layer at a selected depth below said surface defining a s
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