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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0257217 (1999-02-25) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 176 인용 특허 : 7 |
An CMOS interconnection method that permits small source/drain surface areas has been provided. The interconnection is applicable to both strap and via type connections. The surface areas of the small source/drain regions are extended into neighboring field oxide regions by forming a silicide film f
1. A CMOS strap interconnection for interconnecting CMOS transistors on a substrate, comprising:a CMOS transistor on a substrate, including a gate electrode having sidewalls, and including source/drain regions; field oxide regions surrounding said source/drain regions; a semiconductor film overlying
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