[특허]Cobalt silicide etch process and apparatus

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IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	C23F-001/02
출원번호	US-0760402 (2001-01-12)
발명자 / 주소	Steven Marks Leslie G. Jerde Stephen P. DeOrnellas
출원인 / 주소	Tegal Corporation
대리인 / 주소	Fliesler, Dubb, Meyer & Lovejoy LLP
인용정보	피인용 횟수 : 10 인용 특허 : 10

초록

Method and apparatus for etching a silicide stack including etching the silicide layer at a temperature elevated from that used to etch the rest of the layers in order to accomplish anisotropic etch.

대표청구항 ▼

1. An apparatus for processing a wafer comprising:a reactor chamber capable of generating a plasma; a chuck adapted for holding a wafer; a first gas delivery space adapted to accept a gas at a first pressure in order to control the transfer of heat between the wafer and the chuck; and a second gas delivery space adapted to accept a gas at a second pressure lower than the first pressure in order to thermally isolate the wafer and the chuck.

이 특허에 인용된 특허 (10)

Schultz Mark A. (Vista CA), Apparatus and method for draining, cleaning, and filling an aquarium.
상세보기
Miyamoto Hidenobu (Tokyo JPX), Etching method for etching a semiconductor substrate having a silicide layer and a polysilicon layer.
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DeOrnellas Stephen P. ; Cofer Alfred ; Jerde Leslie G. ; Olson Kurt A. ; Rajora Paritosh, Method for minimizing the critical dimension growth of a feature on a semiconductor wafer.
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Pan Shaoher ; Xu Songlin, Method of etching polycide structures.
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Shin Hwa-sook,KRX ; Chi Kyeong-koo,KRX ; Jung Chan-ouk,KRX, Methods for patterning microelectronic structures using chlorine and oxygen.
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Ishii Nobuo (Yamanashi-ken JPX) Hata Jiro (Yamanashi-ken JPX) Koshimizu Chishio (Yamanashi-ken JPX) Tahara Yoshifumi (Tokyo JPX) Nishikawa Hiroshi (Tokyo JPX) Imahashi Isei (Yamanashi-ken JPX), Plasma processing apparatus.
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Iizuka Katsuhiko,JPX, Process for the etching of polycide film.
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Ooishi Mitsuma (Tokyo JPX), Process of fabricating field effect transistor having reliable polycide gate electrode.
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Imahashi Issei (Yamanashi-ken JPX), Semiconductor processing system.
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Hirano Hiroyuki (Tokyo JPX), Variable power optical system for copying machine.
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이 특허를 인용한 특허 (10)

Nyberg, Eric David; Vogdes, Christine Ellen; Holmes, James Crawford; Janah, Ashok Kumar, Electrochemical ion exchange treatment of fluids.
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Ni, Tuqiang; Demos, Alex, Gas injection system for plasma processing.
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Ni, Tuqiang; Demos, Alex, Gas injection system for plasma processing.
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Horsky, Thomas N.; Milgate, III, Robert W.; Sacco, Jr., George P.; Jacobson, Dale C.; Krull, Wade A., Method and apparatus for extending equipment uptime in ion implantation.
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Horsky, Thomas N.; Milgate, III, Robert W.; Sacco, Jr., George P.; Jacobson, Dale Conrad; Krull, Wade Allen, Method and apparatus for extracting ions from an ion source for use in ion implantation.
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Horsky, Thomas N.; Milgate, III, Robert W.; Sacco, Jr., George P.; Jacobson, Dale Conrad; Krull, Wade Allen, Method and apparatus for extracting ions from an ion source for use in ion implantation.
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Hong, Zhong Shan; Pu, Xian Yong, Method for fabricating MOS devices with a salicided gate and source/drain combined with a non-silicide source drain regions.
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Flamm,Daniel L., Multi-temperature processing.
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Tetsuka, Tsutomu; Ikenaga, Kazuyuki; Ono, Tetsuo; Yoshigai, Motohiko; Itabashi, Naoshi, Plasma processing apparatus and plasma processing method.
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Cooperberg, David J.; Vahedi, Valid; Ratto, Douglas; Singh, Harmeet; Benjamin, Neil, Tunable multi-zone gas injection system.
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관련 콘텐츠

특허 원문 보기

KIPRIS 원문보기

IPC 상위 출원인

특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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