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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0833162 (2001-04-11) |
우선권정보 | JP-0127600 (2000-04-27); JP-0003865 (2001-01-11) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 12 인용 특허 : 2 |
A Cu plated ceramic substrate is used in a semiconductor. On a ceramic substrate layer, a thin-film Cr layer is put, and a thin-firm Au layer is put on the Cr layer. The Au layer is plated with Cu. By providing the Au and Cr layers between the ceramic plate and Cu layer, adhesibility is increased. A
1. A Cu plated ceramic substrate which comprises:a ceramic substrate layer; a dry thin-film Cr layer on the ceramic substrate layer; a dry thin-film Au layer on the thin-film Cr layer; and a Cu plating layer on the thin-film Au layer.
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