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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0401775 (1999-09-22) |
우선권정보 | JP-0267141 (1998-09-22); JP-0268257 (1999-09-22) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 31 인용 특허 : 11 |
There is disclosed a method of producing a photoelectric conversion device comprising the steps of forming a semiconductor substrate comprising a first and a second semiconductor layers with a separation layer therebetween; bonding a support substrate to a surface of the second semiconductor layer o
1. A method of producing a semiconductor film comprising the steps of:preparing a first substrate provided with at least one semiconductor layer on a separation layer, the periphery of the separation layer and the semiconductor layer being removed; bonding the first substrate and a second substrate
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