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Integrated electrical circuit with passivation layer 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • G03F-007/00
  • H01L-021/312
출원번호 US-0498532 (2000-02-04)
우선권정보 DE-0033731 (1997-08-04)
발명자 / 주소
  • Darko Piscevic DE
출원인 / 주소
  • Infineon Technologies AG DE
대리인 / 주소
    Herbert L. Lerner
인용정보 피인용 횟수 : 13  인용 특허 : 6

초록

The invention relates to an integrated electric circuit comprising a metal layer provided with a passivation layer. The passivation layer is made of a monomolecular film which is placed on the surface of the metal layer. The monomolecular film is formed prior to contacting the metal layer with metal

대표청구항

1. A method of producing an integrated electrical circuit, which comprises: forming at least one metal plane on a substrate; wetting the metal plane with a solution for applying a passivation layer on the metal in the form of a monomolecular film made up of molecules containing an anchoring group;

이 특허에 인용된 특허 (6)

  1. Maher John P. (Adams MA) Kam-Lum Elsa (Amherst NH), Bonding electronic component to molded package.
  2. Bauer Alan Joseph,ILX, Electrostatic enzyme biosensor.
  3. Tamura Hideharu (Katano JPX) Ogawa Kazufumi (Hirakata JPX), Method for fabricating semiconductor device.
  4. Linford Matthew B (Salt Lake City UT) Chidsey Christopher E. D. (San Francisco CA), Molecular layers covalently bonded to silicon surfaces.
  5. Ogawa Kazufumi (Hirakata JPX), Organic electronic device with a monomolecular layer or multi-monomolecular layer having electroconductive conjugated bo.
  6. DeGuire Mark R. (Cleveland Heights OH) Heuer Arthur H. (Cleveland OH) Sukenik Chaim N. (Cleveland Heights OH), Synthesis of metal oxide thin films.

이 특허를 인용한 특허 (13)

  1. Sunaga, Takahiro; Saka, Yoshifumi, Connector terminal and method for producing connector terminal.
  2. Jackson, Thomas N., Method for making multilayer electronic devices.
  3. Nakayama, Hirohisa; Sato, Shiro; Shoji, Masanobu; Nosaka, Hitoshi, Method of manufacturing semiconductor device and method of treating electrical connection section.
  4. Shintani, Tadashi, Plated materials and contacts for connectors made by using the same.
  5. Gridelet, Evelyne; Widdershoven, Franciscus; Garcia Tello, Pablo; Lambert, Magali, Sensor chip and method of manufacturing the same.
  6. Lin, Mou-Shiung, Top layers of metal for high performance IC's.
  7. Lin, Mou-Shiung, Top layers of metal for high performance IC's.
  8. Lin, Mou-Shiung, Top layers of metal for high performance IC's.
  9. Lin, Mou-Shiung, Top layers of metal for high performance IC's.
  10. Lin, Mou-Shiung, Top layers of metal for high performance IC's.
  11. Lin, Mou-Shiung, Top layers of metal for high performance IC's.
  12. Lin, Mou-Shiung, Top layers of metal for high performance IC's.
  13. Lin,Mou Shiung, Top layers of metal for high performance IC's.
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