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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0860698 (2001-05-16) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 20 인용 특허 : 76 |
Apparatus and method for an improved etch process. A power source alternates between high and low power cycles to produce and sustain a plasma discharge. Preferably, the high power cycles couple sufficient power into the plasma to produce a high density of ions (.gtorsim.1011 cm-3) for etching. Pref
1. A method of processing a semiconductor substrate, the method comprising: providing a processing chamber for producing a plasma; inductively coupling power with a first pulsed power source into at least a portion of the processing chamber using both high power cycles and low power cycles; positi
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