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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0280653 (1999-03-29) |
우선권정보 | JP-0181877 (1989-07-14) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 13 |
The crude Ti particles prepared by molten salt electrolysis or Iodide method are classified into each particle diameter according to contents of impurities, and the crude Ti particles having a desired particle diameter are selected from the crude Ti particles classified depending on each particle di
1. A semiconductor device, comprising:a semiconductor body including at least one electrical circuit component formed in said semiconductor body; electrode pads formed on said semiconductor body; and a wiring for connecting between said electrical circuit component and electrode pads, wherein at lea
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