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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0600904 (2000-10-25) |
우선권정보 | FR-0014831 (1998-11-25); FR-0005840 (1999-05-07) |
국제출원번호 | PCT/FR99/02910 (1999-11-25) |
§371/§102 date | 20001025 (20001025) |
국제공개번호 | WO00/31322 (2000-06-02) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 6 |
The invention concerns a method for epitaxial growth of a material on a first solid material from a material melting on the material, characterized in that it comprises: a step of growth of the first material on the substrate, made of a second material; a step whereby crystalline tips of the first m
1. A process for growing crystals of a molten material on a solid first material comprising:growing the first material on a substrate consisting of a second material, melting the second material, thereby forming the molten material, while keeping the first material in a solid state, or melting a thi
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