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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0299928 (1999-04-27) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 71 인용 특허 : 3 |
This invention provides a process and apparatus for producing products of M-nitride materials wherein M=gallium (GaN), aluminum (AlN), indium (InN), germanium (GeN), zinc (ZnN) and ternary nitrides and alloys such as zinc germanium nitride or indium aluminum gallium nitride. This process and apparat
1. A process for forming crystalline metal-nitride material comprising,a) heating a metal substance in a first vessel to at least the melting point of said substance, b) heating ammonium halide in a second vessel until it sublimes and emits a reactant gas, c) flowing said reactant gas into contact w
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