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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0503278 (2000-02-14) |
발명자 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 76 인용 특허 : 35 |
Techniques of shallow trench isolation and devices produced therefrom are provided. The techniques of shallow trench isolation utilize foamed polymers, cured aerogels or air gaps as the insulation medium. Such techniques facilitate lower dielectric constants than the standard silicon dioxide due to
1. A method of isolating a first active region from a second active region in an integrated circuit device, comprising:forming a trench in a substrate, wherein the first active region is on a first side of the trench and the second active region is on a second side of the trench; filling the trench
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